Это энергетическая область разрешённых электронных состояний, которая заполняется валентными электронами. Зона проводимости это область, где находятся электроны валентной зоны, перешедшие запрещённую зону – то есть зону, где отсутствуют энергетические уровни. Основные свойства проводника – это высокий уровень проводимости и низкое удельное электрическое сопротивление. Его особенность в наличии свободных электронов, которые способствуют прохождению электрического тока. Дырочная проводимость связана с движением вакансий в валентной зоне, которые ведут себя фактически как носители положительного заряда. Когда электрон перемещается в зону проводимости, он оставляет после себя “дырку”.
Равновесное состояние между связанными и свободными электронами чисто динамическое. Для перехода из первого положения во второе нужно обеспечить их вспомогательной энергией. Металлический материал даже при невысокой температуре имеет большую долю освобожденных электронов. Усилий между взаимодействием молекул в металлах хватает для высвобождения их определенного количества. Электронно-дырочный переход (р-n-переход) имеет одностороннюю проводимость.
Обратный ток полупроводникового диода не равен нулю, так как в обоих областях всегда есть неосновные носители заряда. Обратный ток полупроводникового диода близок к нулю, но не равен нулю, так как в обеих областях всегда есть неосновные носители заряда. Ещё одним типом проводимости, обусловленная наличием примесей в полупроводнике, нарушающих структуру решетки, является примесная проводимость.
Полупроводник – это материал или вещество, которое проводит электричество только при определенных условиях. If you enjoyed this post and you would certainly like to get even more details concerning новости полупроводников kindly see our web page. Некоторые элементы таблицы Менделеева, такие как углерод, кремний и германий, являются внутренними (чистыми) полупроводниками из-за количества электронов в их внешних электронных оболочках. При значительной концентрации примеси проводимость полупроводника определяется основными примесными носителями. Так, в германии n-типа основными носителями являются электроны, неосновными — дырки, а в германии р-типа основными носителями являются дырки, а неосновными — электроны. Если добавить в полупроводник кремния пятивалентный атом мышьяка (As), то, посредством четырехвалентных электронов, мышьяк установит ковалентные связи c четырьмя соседними атомами кремния.
Полупроводники p-типа в качестве основных носителей имеют “дырки”. Чтобы усилить их влияние и тем самым улучшить проводимость материала за счёт дырок, в состав полупроводника вводят акцепторные примеси. Одним из самых ярких достижений в области физики полупроводником является создание гетероструктур. Полупроводники гетероструктурного типа — это слоистые сэндвич-структуры из различных материалов, отличающихся шириной запрещённой зоны. Изучая общие сведения о полупроводниках, можно сделать вывод, что эти материалы из-за своей удельной проводимости находятся между проводниками и диэлектриками.
Отсутствие отрицательного заряда является своего рода положительным зарядом, поэтому такие полупроводники называются полупроводниками P-типа. Принцип работы полупроводников зависит от материалов, из которых они изготовлены. Выбор легирующей примеси определяет, какими свойствами будет обладать готовый полупроводник.
Из-за положительного заряда зазора звена этот тип проводников называется буквой «Р» и, следовательно, они распознаются как акцепторы электронов.. Не имея валентного электрона для образования четырех ковалентных связей собственного полупроводника, полупроводник P-типа имеет зазор в недостающем звене. Однако проводимость собственного полупроводника возрастает всякий раз, когда температура увеличивается, поскольку некоторые валентные электроны поглощают тепловую энергию и отделяются от связей. Некоторые аморфные полупроводники могут изменять свои электронные свойства под воздействием легирования. Но это относится к ним в значительно меньшей степени, чем к кристаллическим.
Мы живем в эпоху, сущность которой определяют цифровые технологии и электроника. И краеугольный камень этого мира — миниатюрная микросхема, состоящая из кремниевых транзисторов. Характеристика полупроводника в сильной степени зависит от его чистоты. Выращивая в особых условиях сверхчистые монокристаллы вещества, необходимые свойства придают при помощи легирования (введения в состав донорных или акцепторных примесей). Производство полупроводников это сложный процесс, включающий множество технологических этапов.
Для производства термисторов применяют полупроводники, которые обладают существенной величиной отрицательного сопротивления (обычно, это оксидные полупроводники). Термисторы изготавливают в форме цилиндрических стержней, бусин или нитей, заключенных в баллончики из стекла, керамики или металла с изоляцией. В заключении необходимо отметить, что проводники и полупроводники каждый день встречаются в жизни человека. Например, их можно встретить в классических транзисторах или варисторах для сопротивления. Ни один электроприбор не сможет функционировать без этих деталей.
Но с ростом температуры или под действием света начинают лучше пропускать электрические заряды. Также проводимость полупроводников меняется при введении примеси — этот процесс называется «легирование». Между зоной проводимости Еп и валентной зоной Ев расположена зона запрещённых значений энергии электронов Ез. С ростом ширины Ез число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление возрастает.
В частности, производство смартфонов, видеокарт и автопромышленность сильно нуждаются в полупроводниках. Дефицит полупроводниковых компонентов привёл к сокращению выпуска автомобилей. Например, индийский автодилер Maruti Suzuki уменьшил объем производства на 60% из-за нехватки полупроводников. При производстве холодильников, кондиционеров полупроводниковые устройства применяют в системе охлаждения для контроля и поддержания температуры.
Чувствительность аморфных элементов к легированию можно повысить с помощью технологической обработки. В конечном итоге хочется отметить, что благодаря длительной и упорной работе примесные полупроводники все же представлены целым рядом результатов с хорошими характеристиками. Тем не менее, у них было как минимум два существенных недостатка — они сильно нагревались и не могли работать на высоких температурах.
Атом другого химического элемента в чистой кристаллической решётке (например, атом фосфора, бора и т. д. в кристалле кремния) называется примесью. В зависимости от того, отдаёт ли примесной атом электрон в кристалл (в вышеприведённом примере — фосфор) или захватывает его (бор), примесные атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается. Полупроводник, у которого концентрация доноров Nd и примесей Na одинакова, называется скомпенсированным полупроводником. Такой полупроводник имеет такую же удельную проводимость, как и собственный, но отличается от него временем жизни носителей зарядов и другими параметрами.
В зависимости от типа примеси, полупроводники подразделяются на n-тип и p-тип.N-тип полупроводников содержит примеси, которые являются донорами электронов. Это означает, что они обеспечивают дополнительные свободные электроны, которые увеличивают проводимость материала. Примерами донорных примесей являются фосфор и мышьяк для кремния, и антимоний для германия. Полупроводниками называют материалы, электропроводность которых находится между проводниками и диэлектриками. Электропроводность полупроводниковых материалов может регулироваться с помощью различных факторов, таких как температура, освещенность, магнитное поле и приложенное напряжение. Эти уникальные свойства полупроводников позволяют использовать их в электронных компонентах, таких как диоды, транзисторы и интегральные схемы…
Светодиоды — ещё одна область применения полупроводников, зависящая от ширины запрещённой зоны, но для светодиодов ширина запрещённой зоны играет как функциональную, так и эстетическую роль. Когда частица или материал поглощает энергию, она переходит в возбужденное состояние. Высвобождение энергии, эквивалентной ширине запрещенной зоны, возвращает ее в предыдущее состояние. Чем выше температура полупроводника, тем больше в нем становится свободных электронов и дырок.
Униполярная проводимость между проводником и металлом используется в вентильных элементах. Где $alpha $ — коэффициент, зависящий от температуры, $E_k$ — напряженность критического поля. Фотосопротивления используются в автоматике, сортировке изделий по окраске или размерам.